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测量原理(Measurement Principle)

激光干涉法(Laser Interfere)

适用范围(Scope of Application)

用于测量直径为2"、4"、6" & 8"晶圆片，适用材料包括：碳化硅（SIC）、金刚石(Diamond)、氧化镓（GaOx）蓝宝石(Sapphire)、碳酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(LnP)、硅(Si)、锗(Ge)、陶瓷(Ceramic)等二、三、四代半导体材料、玻璃(Glass)  & 金属材料(Metal)

环境要求(Enviromental Requirments)

电源：AC220V/50HZ/1KW（带地线/空间无强磁干扰）

洁净度：美标百级（含）以上（环境内无酸碱气体）

地面：隔振地面

温/湿度：20℃±2℃/≤70%；无水气凝结

参数范围(Specification)

参数（Parameter）	数值（Value）
精度(Accuracy)	±0.05μm
重复精度（Repeatability）	0.015μm
分辨率（Resolution）	0.005μm
计算点数（Measured data points）	230000
可测量晶片尺寸（Part Range）	4"/6"/8"
厚度范围（Thickness Range）	100~1500μm
厚度测量精度（Accuracy for Thickness）	±0.5μm
测试速度（Measurment Speed）	80Ps/H

测试结果（Test Result）

图形和数据（2D Drawing/3D Graphics & Data）

查询结果(Query Result )