测量原理

本机采用白光共聚焦传感器扫描法进行表面形貌测量，经过测量可以得到 Wafer 的表面几何尺寸特征信息。

功能设计

本机主要用于测量碳化硅、蓝宝石、玻璃、砷化镓、磷化铟、硅、锗、金属、陶瓷等平板材料的微观形貌特征。我们使用 Semicon 定义来表述 wafer 形貌，如：THK（厚度）、TTV（厚度变化）、TIR、WARP（翘曲度）、SORI、BOW（弯曲度）等。

分辨率（Resolution）： 0.05μm

传感器重复性（Repeatability）： 0.20μm

测量精度（Accuracy）： ±0.5μm（双抛片）

测量点数（Data Points）： 1 个/50μm

厚度精度（Thickness）: ±0.5μm（双抛片）

半自动型速度（Speed）: 35s/片（米字型）

3、环境要求

仪器外扩/重量：L920*W800*H1370(MM)/450Kg 电脑/显示器工作台：L700*W700*H750(MM)

电源：AC220V/50HZ/1KW（带地线/空间无强磁干扰）洁净度：千级或百级（环境内无酸碱气体）

地面：隔振地面

温/湿度：23℃±2℃/≤70%；无水气凝结